Infineon IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB60,706.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB64,956.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB6,070.68THB60,706.80
20 - 20THB5,949.274THB59,492.74
30 +THB5,830.307THB58,303.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5379
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP100R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

515W

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

FP100R12KT4

Height

17mm

Length

122mm

Width

62 mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.27 nF

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง