Infineon IGBT Module, 150 A 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB55,442.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB59,323.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB5,544.255THB55,442.55
20 - 20THB5,433.386THB54,333.86
30 +THB5,324.698THB53,246.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5407
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS150R12KT4B11BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

150A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

750W

Number of Transistors

6

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

FS

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.35 nF

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง