Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,119.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,197.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB1,119.22
2 - 2THB1,096.81
3 - 3THB1,074.74
4 - 4THB1,053.37
5 +THB1,032.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
244-5387
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP15R12W1T4BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

12mm

Length

62.8mm

Width

33.8 mm

Series

FP15R12W1T4B

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses, low inductive design

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง