Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- RS Stock No.:
- 244-5387
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP15R12W1T4BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,119.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,197.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB1,119.22 |
| 2 - 2 | THB1,096.81 |
| 3 - 3 | THB1,074.74 |
| 4 - 4 | THB1,053.37 |
| 5 + | THB1,032.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5387
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP15R12W1T4BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.25V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 12mm | |
| Length | 62.8mm | |
| Width | 33.8 mm | |
| Series | FP15R12W1T4B | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 12mm | ||
Length 62.8mm | ||
Width 33.8 mm | ||
Series FP15R12W1T4B | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT Module 1200 V
