Infineon IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*

THB23,511.105

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,156.875

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
15 - 15THB1,567.407THB23,511.11
30 - 30THB1,536.068THB23,041.02
45 +THB1,505.341THB22,580.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP25R12W2T4B11BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

175W

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

42.5 mm

Height

12mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

51mm

Series

FP25R12W2T4B11B

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.05 nF

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง