Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V

RS Stock No.:: 244-5389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP25R12W2T4B11BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*

THB23,511.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,156.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
15 - 15	THB1,567.407	THB23,511.11
30 - 30	THB1,536.068	THB23,041.02
45 +	THB1,505.341	THB22,580.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP25R12W2T4B11BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	175W
	Number of Transistors	7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	12mm
	Length	51mm
	Series	FP25R12W2T4B11B
	Width	42.5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 175W
	Number of Transistors 7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 12mm
	Length 51mm
	Series FP25R12W2T4B11B
	Width 42.5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - FP25R12W2T4B11BOMA1

Infineon FP25R12W2T4B11B Series IGBT Module, 175W Maximum Power Dissipation, 1200V Max Collector Emitter Voltage - FP25R12W2T4B11BOMA1

This IGBT module is a high-voltage power switching device designed for demanding industrial applications. It combines multiple transistors in a single package to manage high collector-emitter voltages and significant power dissipation while operating across a wide temperature range.

Features and Benefits:

• Handles 1200V collector-emitter voltage for high-voltage systems
• Manages 175W maximum power dissipation for sustained loads
• Operates to 150°C for high-temperature duty cycles
• Seven transistors in one module to simplify circuit design
• Low saturation voltage 2.25V to reduce conduction losses
• Gate-emitter rating 20V to accommodate common drive levels

Applications

• Suitable for industrial motor drives requiring high-voltage switching
• Ideal for power converters in renewable energy systems
• Used with inverter stages in large HVAC installations
• Can be used for traction auxiliary power systems
• Appropriate for high-temperature environments in heavy industry

What ambient range can it withstand?

It is specified to function down to −40°C and up to 150°C.

How does the gate-emitter limit affect driver selection?

Gate drivers must not exceed the 20V gate-emitter rating to avoid overstress.

What electrical characteristic reduces energy loss during conduction?

The module’s collector-emitter saturation voltage of 2.25V limits conduction losses.

How many switching elements are integrated in the package?

The module contains seven discrete transistors within a single enclosure.

Is the product suitable for environmentally restricted manufacturing?

It meets RoHS requirements and is therefore compliant with lead-free process constraints.