Infineon IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*

THB27,642.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,577.336

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
24 - 24THB1,151.765THB27,642.36
48 - 48THB1,128.715THB27,089.16
72 +THB1,106.148THB26,547.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5369
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F475R06W1E3BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

4

Maximum Power Dissipation Pd

275W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, UPS systems, inductive heating and welding and solar applications etc.

Electrical features

Low switching losses, low inductive design

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง