Infineon F475R06W1E3BOMA1 Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) IGBT Module, 100 A 600 V
- RS Stock No.:
- 244-5369
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F475R06W1E3BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB27,642.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,577.336
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | THB1,151.765 | THB27,642.36 |
| 48 - 48 | THB1,128.715 | THB27,089.16 |
| 72 + | THB1,106.148 | THB26,547.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5369
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F475R06W1E3BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 275 W | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Configuration | Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 100 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 275 W | ||
Number of Transistors 4 | ||
Configuration Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, UPS systems, inductive heating and welding and solar applications etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon F475R06W1E3BOMA1 Emitter-Collector 100 A 600 V
- Mitsubishi Electric CM100DY-24T #300G Dual IGBT Module PCB Mount
- Mitsubishi Electric CM100DY-13T#300G Dual IGBT Module, 100 A 600 V 94x34mm
- Infineon FF1500R17IP5BPSA1 Dual IGBT Module 10-Pin PRIME3+
- Infineon FF900R12ME7WBPSA1 Dual IGBT Module Panel Mount
- Infineon FF1800R17IP5PBPSA1 Dual IGBT Module 10-Pin PRIME3+
- Infineon FF750R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module Chassis Mount
- Infineon FF400R17KE4HOSA1 Dual IGBT Module 7-Pin 62 mm
