onsemi AFGB40T65SQDN IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin D2PAK, Surface Mount
- RS Stock No.:
- 185-7972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AFGB40T65SQDN
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB82,200.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB87,952.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 2,400 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB102.75 | THB82,200.00 |
| 1600 - 2400 | THB99.667 | THB79,733.60 |
| 3200 + | THB96.677 | THB77,341.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-7972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AFGB40T65SQDN
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 238 W | |
| Package Type | D2PAK | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Gate Capacitance | 2495pF | |
| Energy Rating | 22.3mJ | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 238 W | ||
Package Type D2PAK | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Gate Capacitance 2495pF | ||
Energy Rating 22.3mJ | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi AFGB40T65SQDN IGBT 3-Pin D2PAK, Surface Mount
- STMicroelectronics STGB20N45LZAG IGBT 3-Pin D2PAK, Surface Mount
- onsemi HGT1S10N120BNST IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- onsemi AFGHL50T65SQD IGBT 3-Pin TO-247
- onsemi AFGHL40T65SQ IGBT 3-Pin TO-247
- onsemi AFGHL40T65SQD IGBT 3-Pin TO-247
- onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi FGAF40S65AQ IGBT 3-Pin TO-3PF, Through Hole
