Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
- RS Stock No.:
- 226-6062
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB50N65S5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB66,973.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,661.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB66.973 | THB66,973.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 226-6062
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB50N65S5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V | |
| Maximum Power Dissipation | 270 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | PG-TO263 | |
| Configuration | Single | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 30V | ||
Maximum Power Dissipation 270 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type PG-TO263 | ||
Configuration Single | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.
Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT 3-Pin PG-TO263
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT 3-Pin PG-TO247
- Infineon IKWH50N65EH7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8,
- Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKZA50N65EH7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,
- Infineon AIKW50N60CTXKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
