Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB66,973.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB71,661.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 +THB66.973THB66,973.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
226-6062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGB50N65S5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

30V

Maximum Power Dissipation

270 W

Number of Transistors

1

Package Type

PG-TO263

Configuration

Single

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง