onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB4,278.99

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,578.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB142.633THB4,278.99
60 - 90THB139.532THB4,185.96
120 +THB136.432THB4,092.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-3469
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NGTB40N65FL2WG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

366 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง