onsemi AFGB40T65SQDN IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin D2PAK, Surface Mount

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB335.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB358.718

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • เพิ่มอีก 3,146 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 198THB167.625THB335.25
200 - 398THB163.44THB326.88
400 +THB160.92THB321.84

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
185-8642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AFGB40T65SQDN
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

238 W

Package Type

D2PAK

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.67 x 9.65 x 4.58mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

22.3mJ

Gate Capacitance

2495pF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

ไม่สอดคล้อง

COO (Country of Origin):
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง