Infineon IGB50N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 226-6063
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB50N65S5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB595.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB637.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 + | THB119.15 | THB595.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 226-6063
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB50N65S5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270W | |
| Package Type | PG-TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | TrenchStop | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270W | ||
Package Type PG-TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series TrenchStop | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.
Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 80 A 650 V Surface
- Infineon IKZA50N65EH7XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZA40N65EH7XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH75N65EH7XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- onsemi 80 A 650 V Surface
- onsemi AFGB40T65SQDN 80 A 650 V Surface
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IGW50N65H5FKSA1 80 A 650 V Through Hole
