onsemi, N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
- RS Stock No.:
- 185-7999
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGAF40S65AQ
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 360 ชิ้น)*
THB28,900.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,923.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 360 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 360 - 360 | THB80.279 | THB28,900.44 |
| 720 - 1080 | THB78.534 | THB28,272.24 |
| 1440 + | THB76.789 | THB27,644.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-7999
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGAF40S65AQ
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 94W | |
| Package Type | TO-3PF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | Trench | |
| Width | 15.3mm | |
| Standards/Approvals | Pb-Free and is RoHS | |
| Length | 19.1mm | |
| Energy Rating | 325mJ | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 94W | ||
Package Type TO-3PF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series Trench | ||
Width 15.3mm | ||
Standards/Approvals Pb-Free and is RoHS | ||
Length 19.1mm | ||
Energy Rating 325mJ | ||
Automotive Standard No | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- KR
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.
Maximum junction temperature : TJ = 175°C
Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
High current capability
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
High input impedance
100% of the Parts tested for ILM
Fast switching
Tightened parameter distribution
IGBT with monolithic reverse conducting diode
Applications
Consumer Appliances
PFC, Welder
Industrial application
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FGAF40S65AQ 80 A 650 V Through Hole
- onsemi FGAF40N60SMD 80 A 600 V Through Hole
- onsemi 40 A 600 V Through Hole
- onsemi AFGB40T65SQDN 80 A 650 V Surface
- onsemi FGAF40N60UFTU 40 A 600 V Through Hole
- Infineon IGW50N65H5FKSA1 80 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTVX6TS65DGC13 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW50N65ES5XKSA1 80 A 650 V Through Hole