onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- RS Stock No.:
- 124-1406
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HGT1S10N120BNST
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB109,035.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB116,668.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB136.294 | THB109,035.20 |
| 1600 - 2400 | THB132.205 | THB105,764.00 |
| 3200 + | THB128.239 | THB102,591.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-1406
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HGT1S10N120BNST
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 298 W | |
| Package Type | D2PAK (TO-263) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 298 W | ||
Package Type D2PAK (TO-263) | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 10.67 x 11.33 x 4.83mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi HGT1S10N120BNST IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- onsemi FGB3040G2-F085 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Fairchild FGB3440G2_F085 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount