onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
- RS Stock No.:
- 178-4259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH60T65SQD-F155
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB4,738.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,070.39
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB157.956 | THB4,738.68 |
| 60 - 90 | THB154.522 | THB4,635.66 |
| 120 + | THB151.088 | THB4,532.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH60T65SQD-F155
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 333 W | |
| Package Type | TO-247 G03 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | P | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Gate Capacitance | 3813pF | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Energy Rating | 50mJ | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 60 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±30V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 333 W | ||
Package Type TO-247 G03 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type P | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Gate Capacitance 3813pF | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Energy Rating 50mJ | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductors new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FGH60T65SQD-F155 60 A 650 V Through Hole
- onsemi FGH75T65SQDNL4 200 A 650 V Through Hole
- onsemi FGH75T65SHDTL4 150 A 650 V Through Hole
- Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- onsemi FGHL40T65MQDT IGBT, 60 A 650 V TO-247-3L
- onsemi FGH40T120SQDNL4 160 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKQ75N120CT2XKSA1 75 A 1200 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT 4-Pin TO-247
