onsemi, Type P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
- RS Stock No.:
- 178-4259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH60T65SQD-F155
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB4,738.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,070.39
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 390 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB157.956 | THB4,738.68 |
| 60 - 90 | THB154.522 | THB4,635.66 |
| 120 + | THB151.088 | THB4,532.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH60T65SQD-F155
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-247 G03 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type P | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | Field Stop 4th Generation | |
| Energy Rating | 50mJ | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-247 G03 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type P | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series Field Stop 4th Generation | ||
Energy Rating 50mJ | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductors new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FGH60T65SQD-F155 60 A 650 V Through Hole
- onsemi 75 A 650 V Through Hole
- onsemi 40 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGH75T65SHDTL4 75 A 650 V Through Hole
- onsemi FGH75T65SQDNL4 75 A 650 V Through Hole
- onsemi FCH067N65S3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi FGH40T120SQDNL4 40 A 1200 V Through Hole
- Infineon 150 A 1200 V Through Hole
