onsemi FGH60T65SQD-F155, Type P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
- RS Stock No.:
- 178-4627
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH60T65SQD-F155
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB380.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB407.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 418 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | THB190.19 | THB380.38 |
| 8 - 14 | THB185.435 | THB370.87 |
| 16 + | THB182.575 | THB365.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4627
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH60T65SQD-F155
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-247 G03 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type P | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | Field Stop 4th Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| Energy Rating | 50mJ | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-247 G03 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type P | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series Field Stop 4th Generation | ||
Automotive Standard No | ||
Energy Rating 50mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 60 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 60 A 650 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH60N65WR6XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH30N65WR5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30IH65DF 60 A 650 V Through Hole
- onsemi 75 A 650 V Through Hole
- onsemi FGH75T65SHDTL4 75 A 650 V Through Hole