onsemi FCH067N65S3 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*

THB88,454.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB94,646.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
450 - 450THB196.565THB88,454.25
900 - 1350THB192.291THB86,530.95
1800 +THB188.018THB84,608.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
172-3423
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FCH067N65S3-F155
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

44A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

FCH067N65S3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.82 mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.

700 V @ TJ = 150 oC

Higher system reliability at low temperature operation

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)

Lower switching loss

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)

Lower switching loss

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Typ. RDS(on) = 62 mΩ

Wave soldering guarantee

Computing

Telecomunication

Industrial

Telecom / Server

Solar inverter / UPS

EVC

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง