onsemi FGH75T65SHDTL4, Type P-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 181-1889
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH75T65SHDTL4
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB225.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB241.66
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 418 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 112 | THB225.85 |
| 113 - 224 | THB220.21 |
| 225 + | THB216.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 181-1889
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGH75T65SHDTL4
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 455W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type P | |
| Pin Count | 4 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | Field Stop 3rd generation | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Energy Rating | 160mJ | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 455W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type P | ||
Pin Count 4 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series Field Stop 3rd generation | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Energy Rating 160mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FGH75T65SHDTL4 150 A 650 V Through Hole
- onsemi FGH75T65SQDNL4 200 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EL5XKSA1 100 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 IGBT 4-Pin TO247-4
- Infineon IKZA100N65EH7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 4-Pin
