MPN

onsemi FGH75T65SQDNL4, Type P-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 181-1929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FGH75T65SQDNL4
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FGH75T65SQDNL4, Type P-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB311.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB333.63

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 112	THB311.80
113 - 224	THB304.00
225 +	THB299.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 181-1929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FGH75T65SQDNL4
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current Ic	75A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type P
	Pin Count	4
	Switching Speed	1MHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.43V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	Pb-Free, Halide Free
	Series	Field Stop IV
	Automotive Standard	No
	Energy Rating	160mJ

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Maximum Continuous Collector Current Ic 75A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type P
	Pin Count 4
	Switching Speed 1MHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.43V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals Pb-Free, Halide Free
	Series Field Stop IV
	Automotive Standard No
	Energy Rating 160mJ

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant reduction in Eon Losses compared to standard TO−247−3L package. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

TJmax = 175°C

Improved Gate Control Lowers Switching Losses

Separate Emitter Drive Pin

TO-247-4L for Minimal Eon Losses

Optimized for High Speed Switching

These are Pb-Free Devices

Solar Inverter

Uninterruptible Power Inverter Supplies

Neutral Point Clamp Topology

onsemi FGH75T65SQDNL4, Type P-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง