Toshiba, Type N-Channel Discrete IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
168-7764
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GT20J341
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Product Type

Discrete IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Package Type

TO-220SIS

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

100kHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

GT20J341

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง