แจ้งปิดปรับปรุงระบบเว็บไซต์ วันเสาร์ที่ 22 - วันจันทร์ที่ 24 มิถุนายน 2567

เพื่อปรับปรุงประสบการณ์ของคุณกับ RS เรากำลังทำการอัปเกรดระบบ ซึ่งตั้งแต่วันเสาร์ที่ 22 เวลา 02.00 น. ถึงวันจันทร์ที่ 24 เวลา 04.00 น. เราไม่สามารถดำเนินการรับคำสั่งซื้อได้ในเวลาดังกล่าว และเราจะเปิดให้บริการเต็มรูปแบบอีกครั้งในวันจันทร์ที่ 24 มิถุนายน ขออภัยในความไม่สะดวกและขอขอบคุณที่อดทนรอในช่วงเวลานี้

Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

RS Stock No.:: 796-5064
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: GT50JR22
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Toshiba

Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

54 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)

ราคา / Price Each

THB228.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB244.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Units	ต่อหน่วย
1 - 6	THB228.88
7 - 12	THB223.15
13 +	THB219.73

RS Stock No.:: 796-5064
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: GT50JR22
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Toshiba

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

IGBT Discretes, Toshiba

For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

คุณสมบัติ / Specifications

คุณสมบัติ	Value
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±25V
Maximum Power Dissipation	230 W
Package Type	TO-3P
Mounting Type	Through Hole
Channel Type	N
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Dimensions	15.5 x 4.5 x 20mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C