Toshiba GT20J341, Type N-Channel Discrete IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB108.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB116.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 16 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB108.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
796-5055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GT20J341
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

Discrete IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Package Type

TO-220SIS

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

100kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

GT20J341

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง