Toshiba GT40QR21,F(O, Type N-Channel Discrete IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB186.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB199.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 19THB186.64
20 - 49THB184.92
50 - 99THB182.52
100 - 249THB180.16
250 +THB177.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
891-2743
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GT40QR21,F(O
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

Discrete IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

2.5MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

6.5th generation

Energy Rating

0.29mJ

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง