Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB394,737.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB422,370.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB157.895THB394,737.50
5000 - 7500THB153.158THB382,895.00
10000 +THB148.563THB371,407.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
171-2421
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TK31V60W5
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

109mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.85mm

Width

8 mm

Length

8mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
CN
Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง