Microchip APT25GP120BSC15, N channel-Channel Discrete IGBT, 69 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 838-597
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- APT25GP120BSC15
- ผู้ผลิต:
- Microchip
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB706.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB755.61
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB706.18 |
| 5 + | THB684.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 838-597
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- APT25GP120BSC15
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 69A | |
| Product Type | Discrete IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 417W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N channel | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 41.78mm | |
| Height | 5.31mm | |
| Width | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | JEDC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 69A | ||
Product Type Discrete IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 417W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N channel | ||
Pin Count 3 | ||
Length 41.78mm | ||
Height 5.31mm | ||
Width 16.26mm | ||
Standards/Approvals JEDC | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Microchip Punch Through IGBT integrates a high-performance 1200 V 25 A Power MOS 7 transistor with a Silicon Carbide Schottky anti-parallel diode.
Maximum 1200 V collector-emitter voltage rating
Advanced Power MOS 7 punch-through technology
Integrated SiC Schottky anti-parallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip APT50GH120BSC20 119 A 1200 V Through Hole
- Toshiba GT40QR21 Type N-Channel Discrete IGBT 3-Pin TO-3P, Through Hole
- Toshiba 50 A 600 V Through Hole
- Toshiba 20 A 600 V Through Hole
- Toshiba GT20J341 20 A 600 V Through Hole
- Toshiba GT50JR22 50 A 600 V Through Hole
- ROHM RGA80TSX2HRC11 IGBT 3-Pin TO-247N, Through Hole
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R030M1TXKSA1
