Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323
- RS Stock No.:
- 273-7302
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR181WH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB16,086.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,211.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB5.362 | THB16,086.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7302
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR181WH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free (RoHS) | |
| Series | BFR181W | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free (RoHS) | ||
Series BFR181W | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Easy to use
Halogen free
Pb free package
RoHS compliant
With visible leads
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFR93AWH6327XTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Renesas Electronics 2SC2223-T1B-A NPN Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-346
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFR182WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323