Infineon RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323
- RS Stock No.:
- 273-7303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR181WH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB121.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB130.325
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,725 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB4.872 | THB121.80 |
| 50 - 75 | THB4.726 | THB118.15 |
| 100 - 225 | THB4.585 | THB114.63 |
| 250 - 975 | THB4.447 | THB111.18 |
| 1000 + | THB4.314 | THB107.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR181WH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | Pb-Free (RoHS) | |
| Series | BFR181W | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals Pb-Free (RoHS) | ||
Series BFR181W | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Easy to use
Halogen free
Pb free package
RoHS compliant
With visible leads
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFR93AWH6327XTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFR182WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323