Infineon RF Bipolar Transistor, 120 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-89

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB8,835.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,453.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB8.835THB8,835.00
2000 - 3000THB8.388THB8,388.00
4000 +THB8.325THB8,325.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
260-5066
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFQ19SH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

120mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-89

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

3V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Transition Frequency ft

5.5GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.5mm

Series

BFQ

Standards/Approvals

RoHS

Length

4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon silicon bipolar RF transistor are suitable for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems.

Pb free package

For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง