Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB13,461.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,403.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 9,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB4.487THB13,461.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-1455
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFR193WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

580mW

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFR193W

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.1mm

Height

0.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง