Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB13,461.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,403.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 9,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB4.487THB13,461.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-1455
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFR193WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Power Dissipation Pd

580mW

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Transistor Polarity

NPN

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.1mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

2 mm

Series

BFR193W

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง