Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB278.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB297.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,325 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB11.138THB278.45
50 - 75THB10.804THB270.10
100 - 225THB10.372THB259.30
250 - 975THB9.853THB246.33
1000 +THB9.262THB231.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
259-1432
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP540ESDH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

10V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1V

Minimum DC Current Gain hFE

50

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

30GHz

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFP540

Standards/Approvals

RoHS

Length

2mm

Width

1.25 mm

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon RF transistor for ESD protected high gain low noise amplifier. It has excellent ESD performance typical Value 1000 V (HBM).

Outstanding Gms 21.5 dB

Noise figure F 0.9 dB

Gold metallization for high reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง