Infineon RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 259-1453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB25,137.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB26,898.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB8.379 | THB25,137.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 80GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 2mm | |
| Width | 2.1 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BFP | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Maximum Transition Frequency ft 80GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Height 0.9mm | ||
Length 2mm | ||
Width 2.1 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BFP | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band. It is satellite communication systems are satellite radio (SDARs, DAB), navigation systems (e.g. GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
High gain Gms 22.5 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
OIP3 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
IC max +35mA
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon Broadband RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP843H6327XTSA1 Broadband RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Transistor 2.25 V, 4-Pin TSFP
- Infineon Transistor 2.25 V, 4-Pin TSFP
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343