Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin TSFP

RS Stock No.:: 170-2364
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFP840FESDH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin TSFP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB175.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB187.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

160 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB8.761	THB175.22
760 - 1480	THB8.541	THB170.82
1500 +	THB8.41	THB168.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 170-2364
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFP840FESDH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	2.25V
	Package Type	TSFP
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	2.9V
	Minimum DC Current Gain hFE	150
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Transition Frequency ft	85GHz
	Maximum Power Dissipation Pd	75mW
	Transistor Polarity	NPN
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.55mm
	Width	0.8 mm
	Series	BFP840FESD
	Standards/Approvals	No
	Length	1.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V
	Package Type TSFP
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V
	Minimum DC Current Gain hFE 150
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Transition Frequency ft 85GHz
	Maximum Power Dissipation Pd 75mW
	Transistor Polarity NPN
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.55mm
	Width 0.8 mm
	Series BFP840FESD
	Standards/Approvals No
	Length 1.4mm
	Automotive Standard No

The BFP840FESD is a high performance HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) specifically designed for 5-6 GHz WiFi applications. The device is based upon the reliable high volume SiGe:C technology of Infineon. The BFP840FESD provides inherently good input and output power match as well as inherently good noise match at 5-6 GHz. The simultaneous noise and power match without lossy external matching components at the input leads to a low external parts count, to a very good noise figure and to a very high transducer gain in the WiFi application.

Robust high performance low noise amplifier based on Infineon's reliable, high volume SiGe:C wafer technology

2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits

High maximum RF input power of 21 dBm

0.6 dB minimum noise

26 dB maximum gain

23.5 dBm OIP3 typical at 5.5 GHz, 25 mA

Accurate SPICE GP model available to enable effective design in process

Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin TSFP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง