Infineon Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin TSFP
- RS Stock No.:
- 170-2255
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB29,073.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,107.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB9.691 | THB29,073.00 |
| 6000 - 9000 | THB9.401 | THB28,203.00 |
| 12000 + | THB9.119 | THB27,357.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2255
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | TSFP | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 85GHz | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 0.8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | BFP840FESD | |
| Length | 1.4mm | |
| Height | 0.55mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type TSFP | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Maximum Transition Frequency ft 85GHz | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 0.8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series BFP840FESD | ||
Length 1.4mm | ||
Height 0.55mm | ||
Automotive Standard No | ||
The BFP840FESD is a high performance HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) specifically designed for 5-6 GHz WiFi applications. The device is based upon the reliable high volume SiGe:C technology of Infineon. The BFP840FESD provides inherently good input and output power match as well as inherently good noise match at 5-6 GHz. The simultaneous noise and power match without lossy external matching components at the input leads to a low external parts count, to a very good noise figure and to a very high transducer gain in the WiFi application.
Robust high performance low noise amplifier based on Infineon's reliable, high volume SiGe:C wafer technology
2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
High maximum RF input power of 21 dBm
0.6 dB minimum noise
26 dB maximum gain
23.5 dBm OIP3 typical at 5.5 GHz, 25 mA
Accurate SPICE GP model available to enable effective design in process
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Transistor 2.25 V, 4-Pin TSFP
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon Transistor 6 V, 3-Pin TSFP
- Infineon BFP843H6327XTSA1 Broadband RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon Broadband RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343