Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

RS Stock No.:: 258-0650
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB204.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB219.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

12,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB20.482	THB204.82
20 - 90	THB18.789	THB187.89
100 - 240	THB17.52	THB175.20
250 - 490	THB15.361	THB153.61
500 +	THB14.262	THB142.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-0650
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	2.25V
	Package Type	TSLP-3-9
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	2.9V
	Maximum Transition Frequency ft	75GHz
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	150
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	75mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	3
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	BFR840L3RHESD
	Length	1mm
	Height	0.31mm
	Width	0.6 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V
	Package Type TSLP-3-9
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V
	Maximum Transition Frequency ft 75GHz
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 150
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 75mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 3
	Standards/Approvals RoHS
	Series BFR840L3RHESD
	Length 1mm
	Height 0.31mm
	Width 0.6 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BFR840L3RHESDE6327XTSA1

The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V

Low profile and small form factor leadless package

Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง