Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V TSLP-3-9

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB204.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB219.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 12,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB20.482THB204.82
20 - 90THB18.789THB187.89
100 - 240THB17.52THB175.20
250 - 490THB15.361THB153.61
500 +THB14.262THB142.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-0650
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

2.25 V

Package Type

TSLP-3-9

Mounting Type

Surface Mount

The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V
Low profile and small form factor leadless package

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง