Infineon RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- RS Stock No.:
- 258-0649
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 15000 ชิ้น)*
THB205,020.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB219,375.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 15000 - 15000 | THB13.668 | THB205,020.00 |
| 30000 - 30000 | THB13.258 | THB198,870.00 |
| 45000 + | THB12.86 | THB192,900.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0649
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | TSLP-3-9 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 75GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.31mm | |
| Length | 1mm | |
| Series | BFR840L3RHESD | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type TSLP-3-9 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 75GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.31mm | ||
Length 1mm | ||
Series BFR840L3RHESD | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.
Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V
Low profile and small form factor leadless package