Infineon RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 12 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB12,645.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,530.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB4.215THB12,645.00
6000 - 9000THB4.089THB12,267.00
12000 +THB3.966THB11,898.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
216-8346
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP196WNH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

150mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

12V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Npn Silicon Planar Epitaxial Transistor

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

7.5GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

700mW

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFP196WN

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon Planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at Benchmark quality and reliability.

Pb-free

Halogen-free

Transition frequency of 7.5 GHz

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง