Infineon BFP196WNH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 12 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB15,243.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,311.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB5.081THB15,243.00
6000 - 9000THB4.929THB14,787.00
12000 +THB4.781THB14,343.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
216-8346
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP196WNH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

150mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

12V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Npn Silicon Planar Epitaxial Transistor

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

7.5GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

700mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

BFP196WN

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon Planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at Benchmark quality and reliability.

Pb-free

Halogen-free

Transition frequency of 7.5 GHz

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง