Infineon BFP196E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-143

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB119.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 11,450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB4.766THB119.15
50 - 75THB4.669THB116.73
100 - 225THB2.952THB73.80
250 - 975THB2.89THB72.25
1000 +THB1.772THB44.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-7695
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-483
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP196E6327HTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

150mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-143

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

7.5GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

700mW

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFP196

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.9mm

Height

1mm

Width

2.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 GHz. This transistor is used for LNA in RF front end and wireless communications.

Power amplifier for DECT and PCN systems

Pb free RoHS compliant package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง