Infineon BFR181E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB133.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB143.275

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,575 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB5.356THB133.90
50 - 75THB5.252THB131.30
100 - 225THB3.383THB84.58
250 - 975THB3.314THB82.85
1000 +THB1.99THB49.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-7710
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-490
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFR181E6327HTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Power Dissipation Pd

175mW

Maximum Transition Frequency ft

3GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

2.4 mm

Series

BAR63

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.9mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed