Infineon Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 258-6991
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR181E6327HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB14,175.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15,168.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB4.725 | THB14,175.00 |
| 6000 - 45000 | THB4.671 | THB14,013.00 |
| 48000 + | THB4.562 | THB13,686.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-6991
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR181E6327HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 3GHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BAR63 | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 3GHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BAR63 | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.
Pb free RoHS compliant package
VCEO max is 12 V
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon BFR181E6327HTSA1 Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFP181E7764HTSA1 Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-23