Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP295H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB157.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB168.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 785 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 245THB31.42THB157.10
250 - 495THB30.636THB153.18
500 +THB30.164THB150.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
445-2269
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP295H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

300mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Width

3.5 mm

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1.8A Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP295H6327XTSA1


This MOSFET is engineered for high-performance applications in automation and electronics. Its N-channel configuration combined with an efficient surface mount design allows for effective current control, making it suitable for a range of industrial applications. It supports a maximum drain-source voltage of 60V, ensuring consistent performance for various projects.

Features & Benefits


• Continuously handles a drain current of 1.8A

• Low maximum drain-source resistance of 300mΩ

• Wide gate-source voltage range from -20V to +20V

• Qualified to AEC-Q101 automotive standard for reliability

Applications


• Power management systems for efficient output control

• Motor drives for reliable switching operations

• Signal amplification in various electronic devices

• Automotive electronic control units

What is the typical power dissipation of the component?


It can dissipate up to 1.8W under specified conditions for effective heat management during operation.

How does the gate threshold voltage affect performance?


The maximum gate threshold voltage is 1.8V, which enables the MOSFET to achieve optimal performance at low input levels.

Can this component handle pulsed drain currents?


Yes, it is rated for pulsed drain current up to 6A, allowing it to effectively manage transient conditions.

What packaging options are available?


The MOSFET is available in a SOT-223 surface mount package, optimised for space-efficient designs.

Is the device compliant with environmental standards?


It features Pb-free lead plating and adheres to RoHS compliance, meeting contemporary environmental regulations.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง