Vishay IRF510 Type N-Channel Power MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF510PBF
- RS Stock No.:
- 919-0023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF510PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,412.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,511.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB28.25 | THB1,412.50 |
| 100 - 150 | THB27.402 | THB1,370.10 |
| 200 + | THB26.58 | THB1,329.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-0023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF510PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IRF510 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 540mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 4.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IRF510 | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 540mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 4.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF510 Series Power MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 43W Maximum Power Dissipation - IRF510PBF
This power MOSFET is a single N-channel enhancement device designed for switching and amplification tasks in through‑hole assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and accepts standard gate‑drive levels to control medium‑power loads. The component is supplied in a TO‑220AB package for straightforward mounting and thermal interfacing on heatsinks.
Features and Benefits:
• 100V drain voltage supports high‑voltage switching applications
• 5.6A continuous drain current handles moderate load currents
• 540mΩ Rds(on) reduces conduction losses for efficient switching
• 43W power dissipation enables sustained power handling with cooling
• 8.3nC typical gate charge allows reasonably fast switching response
• ±20V gate tolerance accommodates common gate‑drive ranges
• 5.6A continuous drain current handles moderate load currents
• 540mΩ Rds(on) reduces conduction losses for efficient switching
• 43W power dissipation enables sustained power handling with cooling
• 8.3nC typical gate charge allows reasonably fast switching response
• ±20V gate tolerance accommodates common gate‑drive ranges
Applications
• Suitable for amplifier circuit output stages in audio designs
• Ideal for general‑purpose switching in power supplies
• Used with heatsinks for motor control and power conversion
• Can be used for educational and prototyping through‑hole projects
• Useful as a transistor replacement part in repair work
• Ideal for general‑purpose switching in power supplies
• Used with heatsinks for motor control and power conversion
• Can be used for educational and prototyping through‑hole projects
• Useful as a transistor replacement part in repair work
What ambient temperatures can the device withstand in operation?
It is specified to function from -55°C up to 175°C junction temperature for use in high‑temperature assemblies.
How many pins does the component present for PCB mounting?
The device is provided with three pins configured for through‑hole mounting in a TO‑220AB footprint.
What package form factor should I prepare a heatsink for?
The TO‑220AB enclosure offers a flat rear tab suitable for bolting to a heatsink to improve thermal dissipation.
Is the component suitable for automotive‑standard requirements?
The device is not specified to meet automotive approval standards and should not be assumed compliant for regulated vehicle use.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF510 Type N-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF510PBF
- Vishay IRFR9120 Type P-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9120TRPBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF510SPBF
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL510PBF
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP15N80AE-GE3
- Vishay IRF840A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840APBF
- Vishay IRFBE30 Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF1404PBF
