Vishay IRF510 Type N-Channel Power MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF510PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,412.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,511.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB28.25THB1,412.50
100 - 150THB27.402THB1,370.10
200 +THB26.58THB1,329.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-0023
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF510PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IRF510

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

540mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

2.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4.7mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRF510 Series Power MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 43W Maximum Power Dissipation - IRF510PBF


This power MOSFET is a single N-channel enhancement device designed for switching and amplification tasks in through‑hole assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and accepts standard gate‑drive levels to control medium‑power loads. The component is supplied in a TO‑220AB package for straightforward mounting and thermal interfacing on heatsinks.

Features and Benefits:


• 100V drain voltage supports high‑voltage switching applications
• 5.6A continuous drain current handles moderate load currents
• 540mΩ Rds(on) reduces conduction losses for efficient switching
• 43W power dissipation enables sustained power handling with cooling
• 8.3nC typical gate charge allows reasonably fast switching response
• ±20V gate tolerance accommodates common gate‑drive ranges

Applications


• Suitable for amplifier circuit output stages in audio designs
• Ideal for general‑purpose switching in power supplies
• Used with heatsinks for motor control and power conversion
• Can be used for educational and prototyping through‑hole projects
• Useful as a transistor replacement part in repair work

What ambient temperatures can the device withstand in operation?


It is specified to function from -55°C up to 175°C junction temperature for use in high‑temperature assemblies.

How many pins does the component present for PCB mounting?


The device is provided with three pins configured for through‑hole mounting in a TO‑220AB footprint.

What package form factor should I prepare a heatsink for?


The TO‑220AB enclosure offers a flat rear tab suitable for bolting to a heatsink to improve thermal dissipation.

Is the component suitable for automotive‑standard requirements?


The device is not specified to meet automotive approval standards and should not be assumed compliant for regulated vehicle use.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง