Vishay IRF510 Type N-Channel Power MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF510PBF

RS Stock No.:: 708-5134
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-152
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF510PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF510 Type N-Channel Power MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF510PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB249.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB267.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,280 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 3,130 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB24.962	THB249.62
20 - 90	THB24.338	THB243.38
100 +	THB20.029	THB200.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 708-5134
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-152
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF510PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	IRF510
	Package Type	TO-220AB
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	540mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.3nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	2.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	43W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series IRF510
	Package Type TO-220AB
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 540mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.3nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 2.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 43W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRF510 Series Power MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 5.6A Maximum Continuous Drain Current - IRF510PBF

This power MOSFET is a through‑hole N‑channel enhancement device designed for switching and amplification tasks in industrial and electronic systems. It operates across a wide temperature range and is intended for applications requiring moderate current handling and high voltage blocking capability in a TO‑220AB package.

Features and Benefits:

• 100V drain‑source rating for high‑voltage switching capability • 5.6A continuous drain current for moderate load handling • 540mΩ Rds(on) to limit conduction losses under load • 43W power dissipation to support thermal headroom in assemblies • 20V gate‑source limit allowing flexible drive voltages • 8.3nC typical gate charge enabling predictable switching profiles

Applications

• Suitable for motor driver stages in automation equipment • Ideal for power switching in laboratory power supplies • Used for load switching in test and measurement rigs • Can be used for analogue amplifier outputs in control systems

What operating temperatures can it tolerate in harsh environments?

It functions from -55°C up to 175°C, allowing use in demanding temperature conditions.

How is the device mounted for mechanical and thermal stability?

It uses a through‑hole mount in a TO‑220AB package, permitting secure PCB fastening and straightforward heatsinking.

What gate drive considerations affect switching performance?

The typical gate charge of 8.3nC at rated Vgs influences driver current requirements and switching speed trade‑offs.

What should be considered when pairing with a heatsink?

With 43W maximum dissipation, heatsink thermal resistance and airflow must be sized to keep junction temperature within limits.