N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1

RS Stock No.:: 911-4808
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP149H6327XTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 1000)**

THB24.433

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26.143

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2215 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
1000 - 1000	THB24.433	THB24,433.00
2000 - 3000	THB23.70	THB23,700.00
4000 +	THB22.989	THB22,989.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-4808
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP149H6327XTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	660 mA
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Series	SIPMOS®
Package Type	SOT-223
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	1.8 Ω
Channel Mode	Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	3.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 5 V
Length	6.5mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.6mm

N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง