Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 911-4808
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP149H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,112.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB18,525.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19,822.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
1000 - 1000	THB18.525	THB18,525.00	-
2000 - 3000	THB17.969	THB17,969.00	THB1,112.00
4000 +	THB17.43	THB17,430.00	THB4,380.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-4808
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP149H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	660mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8Ω
	Channel Mode	Depletion
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.5mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.5mm
	Height	1.6mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 660mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series SIPMOS
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω
	Channel Mode Depletion
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.5mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.5mm
	Height 1.6mm
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 660mA Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP149H6327XTSA1

This MOSFET is an essential component designed for a range of electronic applications, offering efficient performance within a compact surface mount package. It is well-suited for controlling automation circuits and is relevant for users in the electronics, electrical, and mechanical sectors. The depletion mode characteristic enhances control for switching applications, making it a suitable choice for engineers.

Features & Benefits

• Maximum drain-source voltage of 200V for high voltage applications

• Continuous drain current capability of up to 660mA

• Utilises SIPMOS technology for consistent performance

• RoHS compliant with Pb-free lead plating

• dv/dt rated for improved resilience against voltage variations

Applications

• Driver in automation systems

• Switching power supplies for energy management

• Automotive electronics compliant with AEC-Q101 standards

What is the significance of the depletion mode characteristic?

The depletion mode allows for efficient control of the MOSFET, which enables effective switching even at lower voltages, beneficial in diverse electronic designs.

How does the device manage thermal challenges?

It functions within a broad temperature range of -55°C to +150°C, ensuring dependable performance even under extreme thermal conditions, supported by its effective thermal management capabilities.

What are the gate threshold voltage values for this component?

The gate threshold voltage ranges from -2.1V to -1V, providing versatile switching options for different circuit requirements.

What are the implications of the ESD Class rating?

The ESD Class rating of 1B indicates a design that can withstand electrostatic discharge levels between 500V and 600V, enhancing the device's reliability in sensitive applications.