Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS159NH6327XTSA2

RS Stock No.:: 753-2841
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-304
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS159NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS159NH6327XTSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 125 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB232.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB248.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
25 - 100	THB9.30	THB232.50	-
125 - 475	THB8.928	THB223.20	3%
500 - 1225	THB8.557	THB213.93	7%
1250 +	THB8.37	THB209.25	10%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 753-2841
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-304
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS159NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Channel Mode	Depletion
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Width	1.3mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SIPMOS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Channel Mode Depletion
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Width 1.3mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 230mA Maximum Continuous Drain Current - BSS159NH6327XTSA2

This MOSFET is a compact N-channel transistor designed for low-power switching and control tasks in automotive and industrial environments. It operates across a wide temperature span and is intended for surface-mounted circuit designs where robust voltage handling and modest current capability are required. The device suits power-management roles within constrained board space and regulated voltage domains.

Features and Benefits:

• 60V drain-source rating enables higher-voltage switching applications
• 8 Ω maximum Rds provides predictable conduction losses
• 230 mA continuous drain current supports small-load drivers
• 360 mW power dissipation limits thermal stress under load
• 1.4 nC typical gate charge allows faster gate transitions
• 20V maximum gate voltage protects gate from overdrive

Applications

• Suitable for low-current automotive control circuits
• Ideal for on-board power-management modules
• Used with sensor interfaces requiring controlled switching
• Can be used for small relay or solenoid drivers
• Suitable for surface-mount prototyping and compact designs

What thermal range can it withstand in harsh environments?

The component functions from -55 °C up to 150 °C, allowing use across extended ambient and engine-bay temperatures.

How does the package affect board assembly and layout?

The SOT-23 3-pin surface-mount package reduces required PCB area and supports automated pick-and-place assembly for compact layouts.

What channel behaviour should designers expect at idle?

It is a depletion-mode N-channel device, so designers should account for channel conduction characteristics when establishing off-state biasing.

Are there limits on mechanical mounting or pin count considerations?

The device is a 3-pin SMD part intended for standard soldering processes with standard footprint constraints.