Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP297H6327XTSA1

RS Stock No.:: 826-9272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP297H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP297H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB917.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB981.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 200	THB18.345	THB917.25
250 - 450	THB17.886	THB894.30
500 +	THB17.611	THB880.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 826-9272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP297H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	660mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Forward Voltage Vf	0.84V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.5mm
	Width	3.5 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.6mm
	Distrelec Product Id	304-44-414
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 660mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series SIPMOS
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Forward Voltage Vf 0.84V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.5mm
	Width 3.5 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.6mm
	Distrelec Product Id 304-44-414
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 660mA Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP297H6327XTSA1

This MOSFET is engineered for efficient switching performance in diverse electronic applications. With a maximum continuous drain current of 660mA and a breakdown voltage of 200V, it is suitable for use in various environments. Its surface mount design simplifies integration into automated systems, making it applicable in both electronic and automotive sectors.

Features & Benefits

• N-channel configuration improves switching efficiency

• Low gate threshold voltage ensures compatibility with logic levels

• High voltage ratings accommodate a range of applications

• Enhanced power dissipation capabilities support effective thermal management

• AEC-Q101 qualification adheres to automotive industry standards

• Compact SOT-223 package supports space-efficient designs

Applications

• Utilised for motor control in automotive systems

• Applied in power management for consumer electronics

• Used in battery management systems for energy regulation

• Employed in signal amplification within communication devices

• Ideal for switch-mode power supplies that improve efficiency

What is the maximum operating temperature for optimal performance?

The component can operate effectively at temperatures up to +150°C, ensuring stability in high-temperature conditions.

How should the MOSFET be installed for best results?

Utilise surface mount technology for installation on a compatible PCB, ensuring correct soldering to maintain connection integrity.

What type of materials is this MOSFET made from?

It is constructed from silicon (Si), which contributes to its performance and reliability across various uses.

Can it withstand severe voltage conditions during operation?

Yes, it has a maximum drain-source breakdown voltage of 200V, making it suitable for high-voltage applications.

How does the gate charge affect its performance?

The typical total gate charge is 12.9nC at 10V, ensuring fast switching times and enhanced circuit efficiency.