Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1

RS Stock No.:: 906-4296
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC028N06NSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB677.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB725.41

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB67.795	THB677.95
1250 - 2490	THB66.10	THB661.00
2500 +	THB65.084	THB650.84

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 906-4296
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC028N06NSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS 5
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Length	6.1mm
	Width	5.35 mm
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS 5
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Length 6.1mm
	Width 5.35 mm
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

Infineon OptiMOS™ 5 Series MOSFET, 137A Maximum Continuous Drain Current, 100W Maximum Power Dissipation - BSC028N06NSATMA1

This high-power MOSFET is suitable for applications where efficiency and reliability are essential. With a maximum continuous drain current of 137A and a breakdown voltage of 60V, it is well-suited for power management systems, making it an excellent choice for professionals in automation and electronics. Its enhanced gate threshold voltage range promotes precise switching performance, ensuring effective operation in various environments.

Features & Benefits

• Supports high-power applications with a maximum power dissipation of 100W

• Low RDS(on) of 4.2mΩ for improved efficiency

• N-channel configuration for enhanced performance

• TDSON package for effective thermal management

• Minimum operating temperature of -55°C, ideal for extreme conditions

• Avalanche rated for durability under transient conditions

Applications

• Utilised in synchronous rectification circuits for power supplies

• Suitable for electric vehicles and industrial automation

• Applied in switch-mode power supplies for effective energy conversion

• Used in UPS systems for dependable power backup solutions

• Appropriate for DC-DC converters and inverters in renewable energy systems

What is the suitable temperature range for operation?

It operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C, accommodating diverse environmental conditions.

How does this component handle thermal management?

The device's TDSON package optimises thermal resistance, ensuring efficient heat dissipation during operation.

What gate voltage is required for optimal performance?

The maximum gate-source voltage is ±20V, while the gate threshold voltage ranges from 2.1V to 3.3V, facilitating effective drive conditions.

Can it be used in high-frequency switching applications?

Yes, it is designed with dynamic characteristics that support high-frequency switching, making it suitable for modern electronic designs.

What safeguards are in place against electrical overstress?

It is validated for industrial applications and fully avalanche tested, providing assurance against transient surges in electrical demand.