Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC0502NSIATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC0502NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB496.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB531.03
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 14,985 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 1245 | THB33.086 | THB496.29 |
| 1260 - 2490 | THB32.259 | THB483.89 |
| 2505 + | THB31.763 | THB476.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC0502NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.65V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5.49mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.35 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Forward Voltage Vf 0.65V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5.49mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.35 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Monolithic integrated Schottky-like diode
Optimized for high performance buck converters
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC016N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC039N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON