Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC010N04LSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB134,235.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB143,630.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB26.847 | THB134,235.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC010N04LSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 95nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Width | 5.35 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 95nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Width 5.35 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for synchronous rectification and it has higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection. It is a qualified according to JEDEC for target applications.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC016N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC039N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1