Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 205 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 220-7349
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSTATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 205 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB143,170.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB153,190.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB28.634	THB143,170.00
10000 - 15000	THB27.775	THB138,875.00
20000 +	THB26.942	THB134,710.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7349
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSTATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	205A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS 5
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	115W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.1 mm
	Length	5.35mm
	Height	1.2mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 205A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS 5
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 115W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.1 mm
	Length 5.35mm
	Height 1.2mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC014N04LSTATMA1

The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Low RDS(on)

Optimized for synchronous rectification

Enhanced 175°C capability in SuperSO8

Longer life time

Highest efficiency and power density

Highest system reliability

Thermal robustness

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 205 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง