Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC039N06NSATMA1

RS Stock No.:: 906-4292
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC039N06NSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC039N06NSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB380.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB406.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 14,360 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB38.01	THB380.10
1250 - 2490	THB37.059	THB370.59
2500 +	THB36.489	THB364.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 906-4292
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC039N06NSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.1mm
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.1mm
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 100A Maximum Continuous Drain Current - BSC039N06NSATMA1

This MOSFET is a compact N-channel switching device designed for high-current power applications, offering robust operation across a wide temperature range. It is intended for surface‑mount assembly and delivers efficient conduction and switching performance for demanding electronic systems.

Features and Benefits:

• Very low on-resistance 5.9 mΩ enabling reduced conduction losses
• High continuous drain current 100A supporting heavy load handling
• 60V drain-source rating for robust voltage headroom
• Low gate charge 27 nC allowing faster switching and lower drive energy
• Maximum power dissipation 69W permitting sustained thermal loading

Applications

• Suitable for synchronous buck converters in power supplies
• Ideal for motor‑drive stages requiring high continuous current
• Used with DC-DC converters in telecommunications equipment
• Can be used for server and datacentre power distribution modules
• Suitable for industrial switching and power‑management assemblies

What thermal extremes can the device tolerate in operation?

It is specified to function from -55 °C up to 150 °C enabling use in harsh thermal environments.

What package and mounting method does it require for board assembly?

The component is supplied in an 8‑pin TDSON package designed for surface‑mount placement and solder reflow processes.

What is the channel mode and how does it affect switching?

It uses an enhancement‑mode N‑channel configuration which requires a positive gate‑source drive to conduct and offers conventional low‑side and high‑side switching topology compatibility.

What gate‑drive voltage limit must be observed during design?

The maximum permissible gate‑to‑source voltage is 20V and designs should keep gate excursions within this threshold to avoid damage.