onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

RS Stock No.:: 780-0627
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTJD5121NT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB231.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB247.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

28,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB4.626	THB231.30
750 - 1450	THB4.51	THB225.50
1500 +	THB4.441	THB222.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 780-0627
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTJD5121NT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-88
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	266mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.9nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	2.2mm
	Height	1mm
	Width	1.35 mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-88
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 266mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 2.2mm
	Height 1mm
	Width 1.35 mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง