Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P04P407ATMA1

RS Stock No.:: 826-9487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB80P04P407ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P04P407ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB1,947.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,083.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

325 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 225	THB77.88	THB1,947.00
250 - 475	THB75.933	THB1,898.33
500 +	THB74.765	THB1,869.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 826-9487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB80P04P407ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS P
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	68nC
	Maximum Power Dissipation Pd	88W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	9.25 mm
	Length	10mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.4mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS P
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC
	Maximum Power Dissipation Pd 88W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 9.25 mm
	Length 10mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.4mm
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

Enhancement mode

Avalanche rated

Low switching and conduction power losses

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Standard packages

OptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P04P407ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง